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ST意法半導(dǎo)體代理商M93C66-WMN6TP EEPROM
作者:admin 發(fā)布時(shí)間:2023-07-11 10:24:45 點(diǎn)擊量:
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,常見的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求使得不同類型的存儲(chǔ)器成為了設(shè)計(jì)和開發(fā)過(guò)程中的核心組件。其中,非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory,NVM)尤為重要。
M93C66-WMN6TP是ST意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款串行非易失性存儲(chǔ)器,基于EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)技術(shù),具有出色的數(shù)據(jù)保留能力和低功耗特性。它具有4Kbit容量,采用8引腳SOIC封裝,工作電壓范圍為2.5V至5.5V。
M93C66-WMN6TP特點(diǎn)
1 高性能
M93C66-WMN6TP EEPROM具有高的數(shù)據(jù)傳輸速率和讀寫性能。它支持SPI(Serial Peripheral Interface)總線接口,允許高速串行數(shù)據(jù)傳輸,最高時(shí)鐘頻率可以達(dá)到2MHz。
2 數(shù)據(jù)保留能力
M93C66-WMN6TP能夠在斷電情況下長(zhǎng)期保留存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。其數(shù)據(jù)保留能力達(dá)到了100年,大大降低了數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)。
3 低功耗
M93C66-WMN6TP在工作模式下的功耗非常低,其最大讀取電流僅為5mA,最大寫入電流為5mA。此外,在待機(jī)模式下,它的電流消耗更低,僅為3μA。
4 高可靠性
M93C66-WMN6TP具有出色的可靠性和穩(wěn)定性。它支持100萬(wàn)次擦寫周期,同時(shí)具有硬件數(shù)據(jù)保護(hù)功能,可以防止意外擦寫或改寫數(shù)據(jù)。
5 寬工作溫度范圍
M93C66-WMN6TP適用于寬溫度范圍的工作環(huán)境,其工作溫度范圍為-40℃至85℃,使其能夠適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
M93C66-WMN6TP EEPROM存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中,包括但不限于:
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
- 通信設(shè)備
- 汽車電子
- 家用電器
- 醫(yī)療設(shè)備
- 智能家居
- 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備
ST意法半導(dǎo)體M93C66-WMN6TP EEPROM存儲(chǔ)器憑借其高性能、高可靠性和低功耗等特點(diǎn),在眾多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,為電子設(shè)備提供了穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。若您在設(shè)計(jì)和開發(fā)過(guò)程中有類似的存儲(chǔ)需求,M93C66-WMN6TP無(wú)疑是一個(gè)值得考慮的選擇。
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