熱點(diǎn)資訊
聯(lián)系方式
- 手機(jī):181-4585-5552
- 電話:0755-82965240
- Q Q:277187808
- 郵箱:[email protected]
- 地址:深圳市龍華區(qū)民治街道民治社區(qū)金華大廈1504
LBV160F 600V LBV系列
發(fā)布時間:2022-04-26 16:22:27 點(diǎn)擊量:



品牌:維安代理商
型號: LBV160F
型號: LBV160F
聯(lián)系客服 0755-82965240
類型:徑向引線
編號:LBV160F
IH(a):0.160
電流(A)1.00
行程時間:18.00
最大(V)600
最大(A)3.0
典型值(W)1.0
Rmin(Ω)4.00
最大電阻:10.00
R1max(Ω):18.00
特點(diǎn):徑向引線器件,高壓浪涌能力,UL94 V-0絕緣材料,機(jī)構(gòu)認(rèn)可:UL、CSA、TUV,無鉛,符合歐盟RoHS指令2011/65/EU。
IH=保持電流:設(shè)備在 25℃靜止空氣中不會跳閘的最大電流。
IT=跳閘電流:設(shè)備在 25℃靜止空氣中始終跳閘的最小電流。
Vmax=器件在額定電流下能承受而不損壞的最大電壓。
Imax=設(shè)備在額定電壓下能承受的最大故障電流而不損壞。
Max Time-to-trip=在指定電流下的最大跳閘時間。
Pd max=最大功耗:器件在空氣環(huán)境中的最大功耗。
Rmin=跳閘前 25℃ 時的最小器件電阻。
Rmax=脫扣前25℃時的最大器件電阻。
R1max=器件第一次跳閘一小時后器件在25℃時的最大電阻。
推薦產(chǎn)品 MORE+
推薦新聞 MORE+
- 安森美 (Onsemi) 收購 SiC JFET 技術(shù),以加強(qiáng) AI 數(shù)據(jù)中心的2025-03-14
- 中國工業(yè)和汽車芯片驅(qū)動為軍用級 AI 機(jī)器人提供動力2025-03-11
- 預(yù)計何時能看到基于1納米技術(shù)的商業(yè)產(chǎn)品?2025-03-07
- 日本公司競相推進(jìn) 1 納米半導(dǎo)體技術(shù)2025-03-06
- 盡管汽車和工業(yè)芯片潛力巨大,但市場復(fù)蘇仍不明朗2025-03-05
- 蘋果將加速研發(fā)AI芯片 擺脫對英偉達(dá)依賴2025-03-04